Shtetet e Bashkuara zhvillojnë materiale gjysmëpërçuese me përçueshmëri të lartë termike për të shtypur ngrohjen e çipit.
Me rritjen e numrit të transistorëve në çip, performanca kompjuterike e kompjuterit vazhdon të përmirësohet, por densifikimi i lartë gjithashtu prodhon shumë pika të nxehta.
Pa teknologjinë e duhur të menaxhimit termik, përveç ngadalësimit të shpejtësisë së funksionimit të procesorit dhe reduktimit të besueshmërisë, ka edhe arsye për Parandalon mbinxehjen dhe kërkon energji shtesë, duke krijuar probleme me joefikasitetin e energjisë.Për të zgjidhur këtë problem, Universiteti i Kalifornisë, Los Anxhelos zhvilloi një material të ri gjysmëpërçues me përçueshmëri termike jashtëzakonisht të lartë në vitin 2018, i cili përbëhet nga arsenid bori pa defekte dhe fosfid bor, i cili është i ngjashëm me materialet ekzistuese të shpërndarjes së nxehtësisë si p.sh. diamant dhe karabit silikoni.raport, me më shumë se 3 herë më shumë përçueshmëri termike.
Në qershor 2021, Universiteti i Kalifornisë, Los Anxhelos, përdori materiale të reja gjysmëpërçuese për t'u kombinuar me çipa kompjuterikë me fuqi të lartë për të shtypur me sukses gjenerimin e nxehtësisë së çipave, duke përmirësuar kështu performancën e kompjuterit.Ekipi hulumtues futi gjysmëpërçuesin e arsenidit të borit midis çipit dhe lavamanit të nxehtësisë si një kombinim i lavamanit të nxehtësisë dhe çipit për të përmirësuar efektin e shpërndarjes së nxehtësisë dhe kreu kërkime mbi performancën e menaxhimit termik të pajisjes aktuale.
Pas lidhjes së nënshtresës së arsenidit të borit me gjysmëpërçuesin e nitrit të galiumit me hendekun e gjerë të energjisë, u konfirmua se përçueshmëria termike e ndërfaqes së nitridit të galiumit/arsenidit të borit ishte deri në 250 MW/m2K dhe rezistenca termike e ndërfaqes arriti një nivel jashtëzakonisht të vogël.Substrati i arsenidit të borit kombinohet më tej me një çip transistor të avancuar me lëvizshmëri të lartë të elektroneve, i përbërë nga nitrid galium alumini/nitrid galiumi, dhe konfirmohet se efekti i shpërndarjes së nxehtësisë është dukshëm më i mirë se ai i diamantit ose karabit të silikonit.
Ekipi hulumtues përdori çipin me kapacitetin maksimal dhe mati pikën e nxehtë nga temperatura e dhomës në temperaturën më të lartë.Rezultatet eksperimentale tregojnë se temperatura e ftohësit të diamantit është 137°C, ngrohësi i karbitit të silikonit është 167°C dhe ngrohësi i arsenidit të borit është vetëm 87°C.Përçueshmëria e shkëlqyer termike e kësaj ndërfaqe vjen nga struktura unike e brezit fononik të arsenidit të borit dhe nga integrimi i ndërfaqes.Materiali i arsenidit të borit jo vetëm që ka përçueshmëri të lartë termike, por gjithashtu ka një rezistencë të vogël termike ndërfaqe.
Mund të përdoret si një ftohës për të arritur fuqi më të lartë të funksionimit të pajisjes.Në të ardhmen pritet të përdoret në komunikimin pa tel me kapacitet të lartë në distanca të gjata.Mund të përdoret në fushën e elektronikës me frekuencë të lartë ose paketimit elektronik.
Koha e postimit: Gusht-08-2022